shallow trench isolation半導体
淺槽隔離,即shallowtrenchisolation,簡稱STI。通常用於0.25um以下工藝,通過利用氮化硅掩膜經過澱積、圖形化、刻蝕硅後形成槽,並在槽中填充澱積氧化物, ...,由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforredu...
工學院半導體材料與製程設備學程碩士論文
- shallow trench isolation半導體
- deep trench isolation
- corner rounding半導體
- pad oxide半導體
- deep trench isolation process
- 淺溝槽絕緣sti
- shallow trench isolation半導体
- shallow trench isolation中文
- locos sti比較
- locos sti比較
- ild半導體
- shallow trench isolation中文
- shallow trench isolation半導體
- ild半導體
- device isolation
- sti divot formation
- imd半導體
- hump effect
- sti divot
- usg半導體
- sti usg
- shallow trench isolation半導体
- locos製程
- shallow trench isolation中文
- deep trench isolation
由嚴永民著作·2011—ShallowTrenchIsolation(STI)techniquesareessentialforsemiconductordeviceforreducingelectricalinterferencesbetweendevicesofsub-microandsub100- ...
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **